六方氮化硼（Hexagonal Boron Nitride, h-BN）是一種帶隙約為 6 eV 的絕緣體，已被廣泛用作生產由各種二維半導體（如 WSe2、MoSe2 等）組成的超高遷移率二維異質結構的絕緣體。它的各層通過范德華相互作用堆疊在一起，并可剝離成薄薄的二維層，直至單層 的h-BN。

        HQ Graphene公司生產的 h-BN 晶體的典型橫向尺寸約為 0.1 厘米，并且是透明的。h-BN單晶 是一種極佳的絕緣體，其擊穿電壓非常高（>0.4 V/nm）。

h-BN crystal properties

Crystal size	~1 mm
Electrical properties	Insulator
Crystal structure	Hexagonal
Unit cell parameters	a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Monolayer properties	Link to C2DB containing calculated properties
Type	Synthetic
Purity	Grade A
Characterized by	XRD, Raman, EDX