MoSe₂ (2H Molybdenum Diselenide)是一種半導體層狀材料。層間相互作用為范德華（van der Waals）相互作用。它是間接帶隙半導體，帶隙大小約為1.1 eV。二硒化鎢屬于第六族過渡金屬二鹵化物（TMDC）。我們提供的2H-MoSe₂直徑8 -10 mm，未摻雜的是n型半導體，室溫下載流子濃度約為1015 cm-3量級。我們也提供Nb摻雜的p型MoSe₂，其室溫載流子濃度約為1018 cm-3量級（或更高）。

MoSe₂ crystal properties

Crystal size	8-10 mm
Electrical properties	Semiconductor, n-type (p-type is also available)
Crystal structure	hexagonal
Unit cell parameters	a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Monolayer properties	Link to C2DB containing calculated properties
Type	Synthetic
Purity	>99.995 %
Characterized by	XRD, Raman, EDX, Hall measurement