2H-MoS₂（2H Molybdenum Disulfide）是一種間接帶隙為 1.2 eV 的半導體。單層 MoS₂ 的帶隙約為 1.8 eV。它的各層通過范德華相互作用堆疊在一起，并可剝離成薄薄的二維層。二硫化鉬屬于第六族過渡金屬二鹵化物（TMDC）。

       我們提供 n -type和 p -type的2H-MoS₂，n-type的MoS₂是未摻雜的，其室溫下的電荷載流子密度約為 10¹⁵cm^-3；而p-type的是Nb摻雜的（高摻雜）。

2H-MoS2 crystal properties

Crystal size	~10 mm
Electrical properties	Semiconductor, n-type (undoped), p-type (Nb-doped)
Crystal structure	hexagonal
Unit cell parameters	a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Monolayer properties	Link to C2DB containing calculated properties
Type	Synthetic
Purity	>99.995 %
Characterized by	XRD, Raman, EDX, Hall measurement